Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 500 мВт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 450 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 265 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon