FZT1053ATA / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO261 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 2.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 75 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 440 мВ, Ток коллектора 4.5 А, Граничная рабочая частота 140 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO261
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное75 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии440 мВ
-
Ток коллектора4.5 А
-
Граничная рабочая частота140 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin