Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

Фотография FZT653 Diodes временно отсутствует

FZT653 / Diodes

Не поставляется

Добавить к сравнению

BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Tra

Корпус TO261 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 175 МГц, Коэффициент усиления по току, min 25 , Примечание Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

Характеристики

Корпус

TO261
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

2 Вт
Напряжение КЭ максимальное

100 В
Ток коллектора

2 А
Граничная рабочая частота

175 МГц
Коэффициент усиления по току, min

25
Примечание

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 10.11.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 10.11.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰