MMBT2222A-7-F / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Тип упаковки-Tape and Reel (лента в катушке; Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 310 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность310 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon