Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

Фотография MMBT3906 Diodes временно отсутствует

MMBT3906 / Diodes

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

Предлагаем замену

SMMBT3906LT1G

SMMBT3906LT1G (ONS) 1,96

Для SMMBT3906LT3G ON Semiconductor фотографии временно нет

SMMBT3906LT3G (ONS) 1,80

MMBT3906

MMBT3906 (DIOTEC) 0,96

Характеристики

Корпус

—
Тип проводимости и конфигурация

PNP
Рассеиваемая мощность

225 мВт
Напряжение КЭ максимальное

40 В
Ток коллектора

200 мА
Граничная рабочая частота

250 МГц
Коэффициент усиления по току, min

100
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 10.11.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 10.11.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰