MMBT3906T-7-F / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT523 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT523
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии400 мВ
-
Ток коллектора200 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon