MMBTA06-7-F / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
SOT-23/ / BIPOLAR TRANSISTOR NPN ROHS 3K
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 250 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии250 мВ
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon