Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 300 мА, Граничная рабочая частота 125 МГц, Коэффициент усиления по току, min 10000 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.