MMDT2907A-7-F / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT363 , Тип проводимости и конфигурация 2 PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1.6 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT363
-
Тип проводимости и конфигурация2 PNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1.6 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon