MMDT5401-7-F / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TSSOP6 , Тип проводимости и конфигурация 2 PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 150 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 150V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTSSOP6
-
Тип проводимости и конфигурация2 PNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное150 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора200 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 150V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon