MMST3906-7-F / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Transistor (BJT) - diskret DIODES Incorporated MMST3906-7-F SOT-323 1 PNP
Корпус SC703 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSC703
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии300 мВ
-
Ток коллектора200 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon