ZTX658 / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, E-LINE
Корпус ELINE3 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Характеристики
-
КорпусELINE3
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность1 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное400 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92