ZTX749 / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, PNP, E-LINE; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:25V; Current, Ic Continuous a Max:2A; Voltage, Vce Sat Max:0.5V; Power Dissipation:1W; Hfe, Min:100; ft, Typ:160MHz; Case Style:E-Line; Termination Type:Through Hole; Current, Ic @ Vce Sat:2000mA; Current, Ic Max:2A; Current, Ic hFE:1000mA; Pin Configuration:e; Pins, No. of:3; Power, Ptot:1W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:35V; ft, Min:100MHz
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 160 МГц, Коэффициент усиления по току, min 15 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность1 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота160 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min15
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon