ZVP3310F / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, P, SOT-23
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 330 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.075A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность330 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.075A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET