ZXTN19060CGTA / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Transistor (BJT) - diskret DIODES Incorporated ZXTN19060CGTA SOT-223 1 NPN
Корпус TO261 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 3 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 7 А, Граничная рабочая частота 130 МГц, Коэффициент усиления по току, min 25 , Примечание Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Характеристики
-
КорпусTO261
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность3 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии300 мВ
-
Ток коллектора7 А
-
Граничная рабочая частота130 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min25
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin