Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 190 мВ, Ток коллектора 4 А, Граничная рабочая частота 190 МГц, Коэффициент усиления по току, min 300 , Примечание Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.