Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 700 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 80 МГц, Коэффициент усиления по току, min 250 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon