BC817-25 / Diotec

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 0 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 160 , Коэффициент усиления по току, max 400 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236

Предлагаем замену

BC817-40LT1G (ONS) 1,12

хит BC817-40.215 (NEX-NXP) 0,80

BC817-25.215 (NEX-NXP) 0,77

BC817-25LT1G (ONS) 1,36

% BC817-25 (DC) 1,20

хит BC817 (JSCJ) 0,77

хит BC817-25 (YJ) 0,87

BC817-40 (DIOTEC) 1,27

Для BC817-25 SHIKUES фотографии временно нет

BC817-25 (SHIKUES) 0,66

Для BC817-25@215 NEXPERIA фотографии временно нет

BC817-25@215 (NEX-NXP) 1,52

Описания и документация

Характеристики

Корпус

SOT23
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

250 мВт
Напряжение КЭ максимальное

45 В
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии

0 В
Ток коллектора

500 мА
Граничная рабочая частота

100 МГц
Коэффициент усиления по току, min

160
Коэффициент усиления по току, max

400
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236