Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 310 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 125 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.