Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 750 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.