MMBTA42 / Diotec

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236

Предлагаем замену

% PMBTA42.215 (NEX-NXP) 2,28

MMBTA42.215 (NEX-NXP) 2,88

% MMBTA42 (JSCJ) 1,20

PMBTA42.235 (NEX-NXP) 4,46

хит MMBTA42 (YJ) 2,21

% MMBTA42G-AE3-R (UTC) 1,30

Для MMBTA42 SHIKUES фотографии временно нет

MMBTA42 (SHIKUES) 1,03

Для PMBTA42 SOT-23 Kec Corp фотографии временно нет

PMBTA42 SOT-23 (KEC) 1,88

MMBTA42 (MCC) 2,14

Для MMBTA42 SUNCO фотографии временно нет

MMBTA42 (SUNCO) 1,05

Описания и документация

mmbta4x.pdf

Характеристики

Корпус

SOT23
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

300 мВт
Напряжение КЭ максимальное

300 В
Ток коллектора

500 мА
Граничная рабочая частота

50 МГц
Коэффициент усиления по току, min

40
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236