Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное -300 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 0 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.