SMBJ33CA / Eicsemi
Eicsemi
Добавить к сравнению
Корпус —, Максимальное импульсное напряжение 53.3 В, Рабочее напряжение 33 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 36.7 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 40.6 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA , Пиковая рассеиваемая мощность 600 Вт, Напряжение ограничения (номинальное) 39.45 В
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 30000 шт | — |
10,18
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Максимальное импульсное напряжение53.3 В
-
Рабочее напряжение33 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min36.7 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max40.6 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
-
Пиковая рассеиваемая мощность600 Вт
-
Напряжение ограничения (номинальное)39.45 В