G4S06508DT / GPT
GPT
%
Добавить к сравнению
Корпус TO263 , Схема включения диодов одиночный , Максимальное обратное напряжение диода 650 В, Прямой ток диода (средний) 8 А, Прямое падение напряжения 1.7 В, Особенности SiC , Обратный ток диода 50 мкА, Емкость перехода 395 пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж SMT
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 8073 шт | — |
66,50
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Схема включения диодоводиночный
-
Максимальное обратное напряжение диода650 В
-
Прямой ток диода (средний)8 А
-
Прямое падение напряжения1.7 В
-
ОсобенностиSiC
-
Обратный ток диода50 мкА
-
Емкость перехода395 пФ
-
Рабочая температура-55 °C
-
Рабочая температура175 °C
-
МонтажSMT