G4S12020BM / GPT
GPT
Добавить к сравнению
Корпус —, Схема включения диодов 2 , Максимальное обратное напряжение диода 1.2 кВ, Прямой ток диода (средний) 10 А, Прямое падение напряжения 1.6 В, Особенности SiC , Обратный ток диода 30 мкА, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 7200 шт | — |
346,51
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Схема включения диодов2
-
Максимальное обратное напряжение диода1.2 кВ
-
Прямой ток диода (средний)10 А
-
Прямое падение напряжения1.6 В
-
ОсобенностиSiC
-
Обратный ток диода30 мкА
-
Рабочая температура-55 °C
-
Рабочая температура175 °C