G5S12005C / GPT
GPT
%
Добавить к сравнению
Корпус TO252 , Схема включения диодов одиночный , Максимальное обратное напряжение диода 1.2 кВ, Прямой ток диода (средний) 5 А, Прямое падение напряжения 1.38 В, Особенности SiC , Обратный ток диода 2.5 мкА, Емкость перехода 22 пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 10357 шт | — |
58,50
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Схема включения диодоводиночный
-
Максимальное обратное напряжение диода1.2 кВ
-
Прямой ток диода (средний)5 А
-
Прямое падение напряжения1.38 В
-
ОсобенностиSiC
-
Обратный ток диода2.5 мкА
-
Емкость перехода22 пФ
-
Рабочая температура-55 °C
-
Рабочая температура175 °C
-
Монтажна плату