2SD669A / Hitachi
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус TO126 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 1.5 А, Граничная рабочая частота 140 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
17,20
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO126
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность20 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное160 В
-
Ток коллектора1.5 А
-
Граничная рабочая частота140 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon