2SK350 / Hitachi
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Ток стока номинальный при 25°C 10 А, Рассеиваемая мощность 100 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 0 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Ток стока номинальный при 25°C10 А
-
Рассеиваемая мощность100 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET