1ED020I12-F / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус PGDSO16 , Кол-во нижних каналов 0 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 1.2 кВ, Максимальный выходной ток нарастания 2 А, Максимальный выходной ток спада 2 А, Напряжение изоляции 3.75 кВ, Опции Half Bridge Based IGBT Driver, 2A, PDSO16 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 150 °C, Примечание Half Bridge Based IGBT Driver, 2A, PDSO16
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусPGDSO16
-
Кол-во нижних каналов0
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальное напряжение смещения1.2 кВ
-
Максимальный выходной ток нарастания2 А
-
Максимальный выходной ток спада2 А
-
Напряжение изоляции3.75 кВ
-
ОпцииHalf Bridge Based IGBT Driver, 2A, PDSO16
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура150 °C
-
ПримечаниеHalf Bridge Based IGBT Driver, 2A, PDSO16