_500.jpeg "1EDF5673KXUMA1")
1EDF5673KXUMA1 / Infineon
Не поставляется
1EDF5673 - это одноканальные гальванически изолированные драйверы затвора для транзисторов CoolGaN и GaN. Они обеспечивают надежную и высокоэффективную работу высоковольтных транзисторов на основе нитрида галлия с учетом их специфики управления. Драйверы имеют гальваническую изоляцию с помощью трансформаторов без сердечников (CT) и могут управлять транзисторами верхнего плеча с напряжением до 600 В.
Ключевые особенности:
- Количество каналов: 1;
- Конфигурация: управление транзисторами верхнего плеча;
- Напряжение питания VDDI: 3…3.5 В;
- Напряжение питания VDDO: 6.5…20 В;
- Выходной ток втекающий/вытекающий: 8/4 А;
- Сопротивление: 3.5/0.85 Ом;
- UVLO: 4.5/5.0 В;
- Малое время распространения: 37 нс;
- Программируемый ток затвора (тип. 10 мА)
- Программируемое отрицательное напряжение затвора;
- Гальваническая развязка между входом и выходом на основе технологии трансформатора без сердечника;
- Напряжение изоляции: 1500 В DC;
- Тип гальванической изоляции: функциональная;
- Рабочая температура: -40…+125 °С;
- Корпус: LGA13, 5х5 мм
Корпус PGTFLGA13 , Кол-во нижних каналов 0 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 4 А, Максимальный выходной ток спада -8 А, Напряжение изоляции 1.5 кВ, Опции Buffer/Inverter Based MOSFET Driver , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C, Примечание Управление транзисторами GaN
Характеристики
-
КорпусPGTFLGA13
-
Кол-во нижних каналов0
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальное напряжение смещения600 В
-
Максимальный выходной ток нарастания4 А
-
Максимальный выходной ток спада-8 А
-
Напряжение изоляции1.5 кВ
-
ОпцииBuffer/Inverter Based MOSFET Driver
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C
-
ПримечаниеУправление транзисторами GaN