1EDI20N12AFXUMA1 / Infineon

Не поставляется

Добавить к сравнению

ИС драйвера управления затвором MOSFET и GaN HEMT с гальванической развязкой.

Технические характеристики:

Одноканальный изолированный драйвер затвора;
Напряжение изоляции вход-выход: 1200 В;
Для высоковольтных мощных полевых транзисторов;
Максимальный выходной ток: более 2 А;
Количество нижних каналов: 1;
Количество верхних каналов: 1;
Выход: полумост с раздельными выходами;
Управление логическим сигналом 3.3...15 В;
Монтаж: SMD/SMT; SOIC-8

Корпус PGDSO8 , Кол-во нижних каналов 1 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 1.2 кВ, Максимальный выходной ток нарастания 4 А, Максимальный выходной ток спада 3.5 А, Напряжение изоляции 1.2 кВ, Опции Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, PDSO8 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 150 °C, Примечание управление MOSFET (SiC), раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 120 нс, Fsw до 4 МГц

Описания и документация

1/1EDI20N12AFXUMA1.pdf

Характеристики

Корпус

PGDSO8
Кол-во нижних каналов

1
Кол-во верхних каналов

1
Максимальное напряжение смещения

1.2 кВ
Максимальный выходной ток нарастания

4 А
Максимальный выходной ток спада

3.5 А
Напряжение изоляции

1.2 кВ
Опции

Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, PDSO8
Рабочая температура

-40 °C
Рабочая температура

150 °C
Примечание

управление MOSFET (SiC), раздельные выходы sink / source, время распространения входного сигнала (propagation delay) 120 нс, Fsw до 4 МГц