Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

2ED020I12-FI / Infineon

Не поставляется

Добавить к сравнению

2ED020I12-FI является 2-канальным, высокоскоростным, высоковольтным драйвером затвора MOSFET и IGBT с технологией CT и внутренней блокировкой опорных выходов высокой и низкой сторон. Плавающий драйвер высокой стороны может получать питание напрямую или через ограничительный диод и конденсатор. В дополнение к логическому вводу каждого драйвера имеется специальный вход для отключения. Выходные драйверы обладают буферным каскадом высоких импульсных токов, который предназначен для минимальной перекрестной проводимости драйвера. Задержки распространения согласуются для упрощения использования в ВЧ устройствах. Этот драйвер предназначен для привода N-канального БТИЗ, который работает с напряжениями до 1.2кВ.
Особенности:

  • Полностью работоспособен до ± 1.2 кВ;
  • Рабочий диапазон питания: 14…18 В;
  • Ток привода затвора +1 А / –2 А;
  • Операционный усилитель общего назначения;
  • Компаратор общего назначения;
  • Согласованное по каналам время задержки распространения;
  • Высокая стойкость к dV/dT;
  • Низкое энергопотребление;
  • Плавающий драйвер верхнего плеча;
  • Блокировка при пониженном напряжении питания по обоим каналам;
  • Входы совместимы с 3.3 В и 5 В логикой;
  • КМОП входы с триггером Шмитта и подтягиванием вниз;
  • Неинвертирующие выходы;
  • Входы с блокировкой;
  • Специализированный вход отключения с подтягивающим резистором
     

Корпус SOIC20 , Максимальный выходной ток спада 2 А, Опции Half Bridge Based IGBT/MOSFET Driver, 2A, PDSO18 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C, Примечание Half Bridge Based IGBT/MOSFET Driver, 2A, PDSO18

Предлагаем замену

Описания и документация

i/Infineon-2ED020I12-FI-DS-v01_00-EN.pdf

Характеристики

  • Корпус
    SOIC20
  • Максимальный выходной ток спада
    2 А
  • Опции
    Half Bridge Based IGBT/MOSFET Driver, 2A, PDSO18
  • Рабочая температура
    -40 °C
  • Рабочая температура
    125 °C
  • Примечание
    Half Bridge Based IGBT/MOSFET Driver, 2A, PDSO18

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.