2ED2304S06FXUMA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
2ED2304S06F - двухканальный полумостовой драйвер управления затвором IGBT- и MOSFET-транзисторов напряжением до 650 В со встроенным bootstrap-диодом.
Характеристики:
- Рабочее напряжение: до 650 В;
- Выходной ток нарастания: 360 мА;
- Выходной ток спада: 700 мА;
- Напряжение затвора: 10…20 В на канал;
- Защита при пониженном напряжении UVLO;
- Совместимые выходы на 3.3 В, 5 В и 15 В;
- Максимальная задержка распространения сигнала 60 нс;
- Защита от ЭСР: 2 кВ, согласно HBM;
- Корпус: SOIC8
Корпус SOIC8 , Кол-во нижних каналов 1 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальное напряжение смещения 650 В, Максимальный выходной ток нарастания 360 мА, Максимальный выходной ток спада 700 мА, Опции Half Bridge Based IGBT/MOSFET Driver, PDSO8 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 150 °C, Примечание Встроенный bootstrap диод
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Кол-во нижних каналов1
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальное напряжение смещения650 В
-
Максимальный выходной ток нарастания360 мА
-
Максимальный выходной ток спада700 мА
-
ОпцииHalf Bridge Based IGBT/MOSFET Driver, PDSO8
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура150 °C
-
ПримечаниеВстроенный bootstrap диод