Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

Фотография BCR108W Infineon временно отсутствует

BCR108W / Infineon

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 170 МГц, Коэффициент усиления по току, min 70 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Предлагаем замену

Для BCR108WH6327 Infineon фотографии временно нет

BCR108WH6327 (INFIN) 6,41

BCR108WH6327XTSA1

BCR108WH6327XTSA1 (INFIN) 12,51

Для BCR108WH6433XTMA1 Infineon фотографии временно нет

BCR108WH6433XTMA1 (INFIN) 3,17

Для MUN5235T1G ON Semiconductor фотографии временно нет

MUN5235T1G (ONS) 3,38

Для PDTC123JU.115 NEXPERIA фотографии временно нет

PDTC123JU.115 (NEX-NXP) 1,64

Характеристики

Корпус

—
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Напряжение КЭ максимальное

50 В
Ток коллектора

100 мА
Граничная рабочая частота

170 МГц
Коэффициент усиления по току, min

70
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰