Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 360 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 170 МГц, Коэффициент усиления по току, min 2000 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon