Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

Фотография BFP640 Infineon временно отсутствует

BFP640 / Infineon

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 4 В, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 40 ГГц, Коэффициент усиления по току, min 110 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN

Предлагаем замену

Для BFP640H6327 Infineon фотографии временно нет

BFP640H6327 (INFIN) 20,20

BFP640H6327XTSA1

BFP640H6327XTSA1 (INFIN) 38,59

Характеристики

Корпус

—
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

200 мВт
Напряжение КЭ максимальное

4 В
Ток коллектора

50 мА
Граничная рабочая частота

40 ГГц
Коэффициент усиления по току, min

110
Примечание

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 07.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 07.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰