Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты
Фотография BSM25GD120DN2E3224 Infineon временно отсутствует

BSM25GD120DN2E3224 / Infineon

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус —, Напряжение К-Э максимальное 1200 , Ток коллектора максимальный при 25°C 35 А, Напряжение насыщения К-Э 3.2 В, Время включения 140 нс, Время выключения 450 нс, Максимальная мощность 200 Вт, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Характеристики

  • Корпус
  • Напряжение К-Э максимальное
    1200
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
    35 А
  • Напряжение насыщения К-Э
    3.2 В
  • Время включения
    140 нс
  • Время выключения
    450 нс
  • Максимальная мощность
    200 Вт
  • Тип входа
    стандартный
  • Примечание
    Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 25.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 25.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.