BSP149 / Infineon

Не поставляется

Добавить к сравнению

MOSFET, N, SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:0.48A; Resistance, Rds On:3.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:-1.4V; Case Style:SOT-223; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:1.44A; Depth, External:7.3mm; Length / Height, External:1.7mm; Marking, SMD:BSP149; Power Dissipation:1.8W; Power, Pd:1.8W; Power, Ptot:1.8W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:200V; Voltage, Vgs th Max:0.7V; Width, External:6.7mm; Width, Tape:12mm

Корпус SOT223 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C 660 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), min 1.8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), max 1.8 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 11 нКл, Рассеиваемая мощность 1.8 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Характеристики

Корпус

SOT223
Конфигурация и полярность

N
Максимальное напряжение сток-исток

200 В
Ток стока номинальный при 25°C

660 мА
Сопротивление открытого канала (мин)

1.8 Ом
Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), min

1.8 Ом
Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), max

1.8 Ом
Диапазон номинальных напряжений затвора, min

10 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max

10 В
Заряд затвора

11 нКл
Рассеиваемая мощность

1.8 Вт
Примечание

Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET