BSS138N / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, LOGIC, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:0.23A; Resistance, Rds On:3.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:0.92A; Depth, External:2.5mm; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:SKs; Pins, No. of:3; Power Dissipation:0.36W; Power, Pd:0.36W; Power, Ptot:0.36W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:60V; Voltage, Vgs Max:20V; Voltage, Vgs th Max:1.4V; Voltage, Vgs th Min:0.6V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm; dv/dt:6000V/чs
Корпус SOT23 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 230 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 6 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 1 нКл, Рассеиваемая мощность 360 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса230 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max6 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора1 нКл
-
Рассеиваемая мощность360 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET