BSS139E6327 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO236 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C 100 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 30 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 30 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 30 Ом, Рассеиваемая мощность 360 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток250 В
-
Ток стока номинальный при 25°C100 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)30 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min30 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max30 Ом
-
Рассеиваемая мощность360 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET