BSZ0909ND – представляют собой полумостовую схему из двух N-канальных транзисторов. Используемая технология OptiMOS в сочетании с корпусом PQFN размером 3 x 3 мм предлагает оптимизированное решение для DC-DC приложений с критическими требованиями к пространству.
Характеристики:
Особенности BSZ0909ND:
BSZ0909ND подходит для беспроводных систем зарядки, приводов электродвигателей (мультикоптеров), там, где необходимо получить компактные устройства.
Корпус PGWISON8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 14.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 18 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 18 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 1.8 нКл, Рассеиваемая мощность 17 Вт, Ёмкость затвора 360 пФ
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.