BTS113A / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO220 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 11.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 170 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 170 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 170 мОм, Примечание Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C11.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)170 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min170 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max170 мОм
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB