DF11MR12W1M1B11BOMA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 22-Pin EASY1B-2 Tray
Напряжение сток-исток максимальное 1.2 кВ, Схема модуля Booster , Максимальный рабочий ток при 25°C 55 А, Рабочий диапазон напряжений затвора, min -5 В, Рабочий диапазон напряжений затвора, max 15 В, Сопротивление открытого канала при макс. U затвора 23 мОм, Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 150 °C, Примечание Easy 1B 1200 V / 11 mΩ booster module with CoolSiC™ MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology
Характеристики
-
Напряжение сток-исток максимальное1.2 кВ
-
Схема модуляBooster
-
Максимальный рабочий ток при 25°C55 А
-
Рабочий диапазон напряжений затвора, min-5 В
-
Рабочий диапазон напряжений затвора, max15 В
-
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора23 мОм
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура150 °C
-
ПримечаниеEasy 1B 1200 V / 11 mΩ booster module with CoolSiC™ MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology