DF200R12KE3HOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Внутренняя схема GAR , Кол-во ключей в модуле 1 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Технология кристалла IGBT3 - E3 , Примечания IGBT MODULE VCES 1200V 200A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 1.04 кВт
Характеристики
-
Внутренняя схемаGAR
-
Кол-во ключей в модуле1
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Технология кристаллаIGBT3 - E3
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 1200V 200A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность1.04 кВт