DF300R07PE4B6BOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Внутренняя схема GAD , Кол-во ключей в модуле 3 , Напряжение К-Э 650 В, Рабочий ток при 25°C 300 А, Технология кристалла IGBT4 - E4 , Примечания IGBT MODULE VCES 650V 300A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 940 Вт
Характеристики
-
Внутренняя схемаGAD
-
Кол-во ключей в модуле3
-
Напряжение К-Э650 В
-
Рабочий ток при 25°C300 А
-
Технология кристаллаIGBT4 - E4
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 650V 300A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность940 Вт