F3L100R07W2E3B11BOMA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, MODULE, N-CH, 650V, 100A
Внутренняя схема MLI , Кол-во ключей в модуле 4 , Напряжение К-Э 650 В, Рабочий ток при 25°C 117 А, Технология кристалла IGBT3 - E3 , Примечания IGBT MODULE VCES 600V 200A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 300 Вт
Характеристики
-
Внутренняя схемаMLI
-
Кол-во ключей в модуле4
-
Напряжение К-Э650 В
-
Рабочий ток при 25°C117 А
-
Технология кристаллаIGBT3 - E3
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 600V 200A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность300 Вт