F3L150R12W2H3B11BPSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Внутренняя схема MLI , Кол-во ключей в модуле 4 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 75 А, Технология кристалла IGBT HighSpeed 3 , Примечания IGBT MODULE VCES 600V 150A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 500 Вт
Характеристики
-
Внутренняя схемаMLI
-
Кол-во ключей в модуле4
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C75 А
-
Технология кристаллаIGBT HighSpeed 3
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 600V 150A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность500 Вт