Внутренняя схема MLI , Кол-во ключей в модуле 4 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А, Технология кристалла IGBT HighSpeed 3 , Примечания IGBT MODULE VCES 650V 200A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 600 Вт
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.