FD400R12KE3HOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Внутренняя схема GAL , Кол-во ключей в модуле 1 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 580 А, Технология кристалла IGBT3 - E3 , Примечания IGBT MODULE VCES 650V 400A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 2 кВт
Характеристики
-
Внутренняя схемаGAL
-
Кол-во ключей в модуле1
-
Напряжение К-Э1.2 кВ
-
Рабочий ток при 25°C580 А
-
Технология кристаллаIGBT3 - E3
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 650V 400A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность2 кВт