FD600R06ME3S2BOSA1 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
Внутренняя схема GAL , Кол-во ключей в модуле 1 , Напряжение К-Э 600 В, Рабочий ток при 25°C 600 А, Технология кристалла IGBT3 - E3 , Примечания IGBT MODULE VCES 600V 600A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 2.25 кВт
Характеристики
-
Внутренняя схемаGAL
-
Кол-во ключей в модуле1
-
Напряжение К-Э600 В
-
Рабочий ток при 25°C600 А
-
Технология кристаллаIGBT3 - E3
-
ПримечанияIGBT MODULE VCES 600V 600A
-
Корпус—
-
Максимальная рассеиваемая мощность2.25 кВт